&2003即使再怎么的研究，也就只能夠到65納米制程就沒有辦法再提升了。

        而浸沒式光刻機最高工藝節(jié)點能夠到45-22納米。

        也就是說，22納米繼續(xù)往下走，就只能夠EUV光刻機。

        提出浸沒式光刻機的人，可就在星達科技。

        “預(yù)計在明年的時候，能夠做出原型機，想要實現(xiàn)量產(chǎn)的話，估計得要到2005年才行。”說到這個，謝逸云相當(dāng)?shù)臒o奈。

        光刻機越往下走，難度變得越發(fā)大了起來。

        申微在EUV光刻機的研制上面也遇到了極其大的困難，可ASML可宣稱要在明年的時候就推出EUV光刻機。

        最新接到的情報，ASML公司在研制EUV光刻機上面也遭遇到了困難，明年推出EUV光刻機顯然變得不現(xiàn)實。

        可對于申微來說，壓力依舊的是相當(dāng)大。

        韓松林輕輕的點了點頭，2005年，并非說就等不起。

        接下來，自然參觀了車間。

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