第二個(gè)目標(biāo)則是至少運(yùn)行一次氘氚原料聚變點(diǎn)火實(shí)驗(yàn)。

        前者是針對(duì)性的繼續(xù)完成運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)的控制實(shí)驗(yàn)，后者則是為了收集實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，解決氘氚聚變過(guò)程中產(chǎn)生的磁面撕裂、等離子體磁島等問(wèn)題。

        至于氘氚原料在聚變過(guò)程中產(chǎn)生的中子輻照對(duì)第一壁材料的破壞問(wèn)題，雖然同樣在這次的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)收集中，但解決這個(gè)問(wèn)題的排序，優(yōu)先級(jí)并不在本次實(shí)驗(yàn)中。

        畢竟如果連長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn)行等離子體都做不到的話，去提解決聚變過(guò)程中的中子輻照問(wèn)題也沒(méi)有什么太大的意義。

        ........

        隨著準(zhǔn)備工作的完成，上午九點(diǎn)半，徐川下達(dá)了實(shí)驗(yàn)開始的指令。

        與此同時(shí)，在繁多工作人員的操控下，沉睡在核心實(shí)驗(yàn)區(qū)的破曉聚變裝置，再一次發(fā)出了咆孝聲。

        .......

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